[发明专利]薄化晶片的制造方法和薄化晶片的制造装置在审
| 申请号： | 202180006503.8 | 申请日： | 2021-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN114667595A | 公开（公告）日： | 2022-06-24 |
| 发明（设计）人： | 泉直史 | 申请（专利权）人： | 琳得科株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;B28D5/04;B23K26/53;B28D7/04;H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 张晶;刘言 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种薄化晶片的制造装置，能够在防止薄化晶片破损的情况下对该薄化晶片实施各种工序，其具备：分离构件(10)，其在由基材支撑构件(BS)支撑的半导体晶片(WF)上形成脆弱层(WL)，以该脆弱层(WL)为界将半导体晶片(WF)划分为薄化晶片(WF1)和剩余晶片(WF2)，并将该剩余晶片(WF2)从薄化晶片(WF1)分离；第一输送构件(20)，其输送由分离构件(10)将剩余晶片(WF2)分离后的薄化晶片(WF1)；处理构件(30)，其对由第一输送构件(20)输送的薄化晶片(WF1)实施规定的处理；第二输送构件(40)，其输送由处理构件(30)实施了规定的处理的薄化晶片(WF1)；以及加强部件粘贴构件(50)，其将加强部件(AS)粘贴于由第二输送构件(40)输送的薄化晶片(WF1)，其中，第一输送构件(20)和第二输送构件(40)将薄化晶片(WF1)与基材支撑构件(BS)一起输送。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 制造 方法 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于琳得科株式会社，未经琳得科株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202180006503.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
