[发明专利]一种半导体二极管制造工艺在审
| 申请号： | 202111519416.0 | 申请日： | 2021-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN114203598A | 公开（公告）日： | 2022-03-18 |
| 发明（设计）人： | 史其福 | 申请（专利权）人： | 史其福 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/677 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 150010 黑龙江省哈*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及二极管制造领域，更具体的说是一种半导体二极管制造工艺，该制造工艺包括以下步骤：步骤一：设置半导体二极管制造装置，将焊接好的二极管放置到该装置上进行运输；步骤二：在运输中对二极管的两端进行涂料；步骤三：对二极管的一端进行切削环槽和修剪导线；步骤四：对加工后的二极管进行运输并收集。该装置包括涂料轴、涂料辊和支架，支架上转接有涂料轴，涂料轴的两端分别设置有不同涂抹宽度的涂料辊。具有能对二级管的两端进行不同宽度的涂抹涂料的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 二极管 制造 工艺 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
