[发明专利]一种量子点层制备方法以及发光器件的制备方法在审
申请号: | 202111424007.2 | 申请日: | 2021-11-26 |
公开(公告)号: | CN114122276A | 公开(公告)日: | 2022-03-01 |
发明(设计)人: | 姜茂成 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/56;H01L27/32 |
代理公司: | 北京华夏泰和知识产权代理有限公司 11662 | 代理人: | 吴雪 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明属于显示技术领域,尤其涉及一种量子点层制备方法以及发光器件的制备方法,该量子点层制备方法具体包括:在基板上形成量子点层,所述量子点层中的量子点具有第一配体;依次通过曝光、显影工艺对所述量子点层进行图形化,所述显影工艺使用的显影液包含活性分子,其中,所述活性分子与所述量子点的结合力大于所述第一配体与所述量子点的结合力,且所述活性分子在所述显影液中的溶解度大于所述第一配体在所述显影液中的溶解度,综上所述,采用本申请的设计可以增大量子点在显影液中的溶解度,从而提升对量子点层的洗脱效果,进而改善点亮时光谱纯度,最终有效提升器件性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 量子 制备 方法 以及 发光 器件 | ||
【主权项】:
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