[发明专利]一种量子点层制备方法以及发光器件的制备方法

说明书

本发明属于显示技术领域，尤其涉及一种量子点层制备方法以及发光器件的制备方法，该量子点层制备方法具体包括：在基板上形成量子点层，所述量子点层中的量子点具有第一配体；依次通过曝光、显影工艺对所述量子点层进行图形化，所述显影工艺使用的显影液包含活性分子，其中，所述活性分子与所述量子点的结合力大于所述第一配体与所述量子点的结合力，且所述活性分子在所述显影液中的溶解度大于所述第一配体在所述显影液中的溶解度，综上所述，采用本申请的设计可以增大量子点在显影液中的溶解度，从而提升对量子点层的洗脱效果，进而改善点亮时光谱纯度，最终有效提升器件性能。

技术领域

本发明属于显示技术领域，尤其涉及一种量子点层制备方法以及发光器件的制备方法。

背景技术

随着量子点技术的深入发展，电致量子点发光二极管(AMQLED)的研究日益深入，量子效率不断提升，已基本达到产业化的水平，进一步采用新的工艺和技术来实现其产业化已成为未来的趋势。

量子点光刻图案化工艺是一种将量子点作为光刻胶，直接对量子点进行光刻然后洗脱，使其达到图案化效果，此方法避开了类似于OLED提升分辨率的技术瓶颈，能够有效实现高分辨率的AMQLED产品生产，方便了工艺方面的制备，提升了工艺良率，能够大幅提升量子点材料的使用率；但此方案存在上一层量子点洗脱不完全的问题，使得在进行下一种颜色的量子点图案化工艺时有上一层量子点残留，导致器件在点亮时出现光谱不纯的情况，影响器件性能。

发明内容

本申请的目的在于提供一种量子点层制备方法以及发光器件的制备方法，以改善现有技术中量子点层洗脱效果差的技术问题。

(一)技术方案

为实现上述目的，本发明第一方面提供了一种量子点层制备方法，包括：

在基板上形成量子点层，所述量子点层中的量子点具有第一配体；

依次通过曝光、显影工艺对所述量子点层进行图形化，所述显影工艺使用的显影液包含活性分子，其中，所述活性分子与所述量子点的结合力大于所述第一配体与所述量子点的结合力，且所述活性分子在所述显影液中的溶解度大于所述第一配体在所述显影液中的溶解度。

作为本技术方案的可选方案之一，所述显影工艺还包括：采用所述显影液对所述量子点层进行显影，以将目标区域内所述量子点的所述第一配体与所述活性分子进行配体交换，键合出以所述活性分子作为第二配体的量子点，所述量子点可溶解于所述显影液。

作为本技术方案的可选方案之一，所述活性分子的极性与所述第一配体的极性相反。

作为本技术方案的可选方案之一，所述在基板上形成量子点层，所述量子点层中的量子点具有第一配体的步骤之后，所述方法还包括：

按照如下标准选择活性分子，所述活性分子与所述量子点的结合力大于所述第一配体与所述量子点的结合力，且所述活性分子在所述显影液中的溶解度大于所述第一配体在所述显影液中的溶解度；

将所述活性分子与所述显影液混合均匀。

作为本技术方案的可选方案之一，所述采用所述显影液对所述量子点层进行显影的步骤还包括：

将所述量子点层浸泡于所述显影液中预设时长。

作为本技术方案的可选方案之一，所述活性分子占所述显影液的质量分数为1-70％。

作为本技术方案的可选方案之一，所述第一配体和/或所述活性分子包括但不限于氧配位、氮配位、膦配位或硫配位。

作为本技术方案的可选方案之一，所述第一配体和/或所述活性分子包括但不限于油酸、油胺、吡咯或十二硫醇。

为实现上述目的，本发明第二方面提供了一种发光器件的制备方法，所述方法包括：

提供一个基板；