[发明专利]一种有机膦掺杂的高导电性疏水交联界面层及其在反向有机太阳能电池中的应用在审
| 申请号： | 202111346912.0 | 申请日： | 2021-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN116143960A | 公开（公告）日： | 2023-05-23 |
| 发明（设计）人： | 侯剑辉;杨奕;许博为 | 申请（专利权）人： | 中国科学院化学研究所 |
| 主分类号： | C08F122/22 | 分类号： | C08F122/22;C08F112/34;C08K5/50;H10K85/10;H10K30/80 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 王春霞 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种有机膦掺杂的高导电性疏水交联界面层及其在反向有机太阳能电池中的应用。所述疏水交联界面材料为式Ⅱ或式Ⅲ所示可交联单体的交联产物，交联产物中掺杂式Ⅰ、式Ⅳ‑1或式Ⅳ‑2所示有机膦掺杂剂。所述疏水交联界面材料可以制备反向有机太阳能的中的阴极界面层，具有较高的导电性，可以实现耐厚膜加工，从而在大规模工业化加工中具有应用潜力。本发明提供的有机膦掺杂的交联界面层，不仅能是一种性能优异的电子传输层材料，同时也是一种疏水性材料，能够在极大程度上提高器件抗水稳定性。本发明有机膦掺杂的疏水交联界面层还可应用与有机发光二极管、有机场效应晶体管等有机光电器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 有机 掺杂 导电性 疏水 交联 界面 及其 反向 太阳能电池 中的 应用 | ||
【主权项】：
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