[发明专利]一种基于PT对称原理的MEMS谐振式磁场传感器及其使用方法有效
| 申请号： | 202111137121.7 | 申请日： | 2021-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN113900053B | 公开（公告）日： | 2022-11-15 |
| 发明（设计）人： | 黄见秋;魏振宇;黄庆安;王立峰 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | G01R33/028 | 分类号： | G01R33/028 |
| 代理公司： | 南京众联专利代理有限公司 32206 | 代理人： | 叶倩 |
| 地址： | 210096 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于PT对称原理的MEMS谐振式磁场传感器及其使用方法，包括左谐振器和右谐振器，所述左谐振器和右谐振器呈左右镜像对称结构，且通过耦合弹簧相连接；左谐振器和右谐振器分别外连阻尼调制电路，阻尼调制电路控制左谐振器和右谐振器的等效阻尼大小相等，符号相反，形成PT对称谐振器系统；还包括左直流电源和右直流电源，所述左直流电源加载在左谐振器上，形成自上向下的直流电流，所述右直流电源加载在右谐振器上，形成自下而上的直流电流，在洛伦兹力的作用下，左右谐振器之间的耦合系数改变，进而改变了PT对称谐振系统的谐振频率，通过阻尼大小调制，使得PT对称谐振器系统工作在耦合系数和损耗参数相等的奇异点，大幅度提高传感器的敏感度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 pt 对称 原理 mems 谐振 磁场 传感器 及其 使用方法 | ||
【主权项】：
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