[发明专利]一种碳化硅晶锭切片方法、装置及应用在审
申请号: | 202111108143.0 | 申请日: | 2021-09-22 |
公开(公告)号: | CN115609163A | 公开(公告)日: | 2023-01-17 |
发明(设计)人: | 仇旻;石理平;孙潇雨;耿娇 | 申请(专利权)人: | 西湖仪器(杭州)技术有限公司 |
主分类号: | B23K26/38 | 分类号: | B23K26/38 |
代理公司: | 杭州知闲专利代理事务所(特殊普通合伙) 33315 | 代理人: | 黄燕 |
地址: | 310000 浙江省杭州市西*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种碳化硅晶锭切片方法,包括:首先利用低能量飞秒激光聚焦在SiC晶体内部,使部分Si‑C键断裂,形成吸收层,随后用高能量飞秒激光将吸收层中的SiC化学键彻底打断完成切片;以激光入射方向为顶侧,所述高能量飞秒激光的焦平面位于所述吸收层下方。本发明利用碳化的吸收层阻止高能量飞秒激光在SiC内部成丝导致的破坏深度过大,从而降低材料浪费率。 | ||
搜索关键词: | 一种 碳化硅 切片 方法 装置 应用 | ||
【主权项】:
暂无信息
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