[发明专利]高散热垂直腔面发射激光器及其制作方法有效

专利信息
申请号: 202111027071.7 申请日: 2021-09-02
公开(公告)号: CN113725729B 公开(公告)日: 2022-12-20
发明(设计)人: 蔡文必;曾评伟 申请(专利权)人: 厦门市三安集成电路有限公司
主分类号: H01S5/183 分类号: H01S5/183;H01S5/343;H01S5/042;H01S5/024
代理公司: 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 代理人: 何少岩
地址: 361100 福建省厦门*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 本申请提供一种高散热垂直腔面发射激光器的制作方法,将砷化镓衬底正面的出光孔圈区域刻蚀至不超过衬底厚度,并于刻蚀位置沉积砷化铝层。在衬底正面外延生长N‑DBR层、MQW层和P‑DBR层,并在P‑DBR层形成内部构成出光孔径的氧化层。该制作方法可以在外延生长前生长砷化铝层,在MQW层累积的热量向下传导时由于砷化铝的导热系数优于砷化镓,其散热传导至背面金属电极效率更高、散热更快,进而提升整个器件的散热性能,并且砷化铝和砷化镓晶格常数相匹配,对衬底进行刻蚀并沉积砷化铝层后进行外延生长的影响也较小。本申请还提供一种高散热垂直腔面发射激光器,通过形成于衬底的刻蚀凹槽内的砷化铝层可以提升器件的散热能力。
搜索关键词: 散热 垂直 发射 激光器 及其 制作方法
【主权项】:
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