[发明专利]铜钼金属蚀刻液及其应用在审
| 申请号： | 202110897234.0 | 申请日： | 2021-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN113667979A | 公开（公告）日： | 2021-11-19 |
| 发明（设计）人： | 郭前程 | 申请（专利权）人： | TCL华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | C23F1/18 | 分类号： | C23F1/18;C23F1/26;C23F1/02 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 王朝云 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种铜钼金属蚀刻液及其应用。所述铜钼金属蚀刻液的成分按照重量百分比计包括：1～21wt％的过氧化氢、0.01～10wt％的形状控制剂、0.01～5wt％的蚀刻稳定剂、1～13wt％的螯合剂、0.01～8wt％的pH调节剂和0.01～2.39wt％的蚀刻添加剂，以及余量的去离子水。本申请的铜钼金属蚀刻液在蚀刻过程中可以保持对铜钼双层金属结构层具有一致的蚀刻速率，解决了铜钼双层金属因氧化还原电位差异造成的铜掏空腐蚀的缺陷，制得符合要求的铜钼金属结构层。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 蚀刻 及其 应用 | ||
【主权项】：
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