[发明专利]铜钼金属蚀刻液及其应用

权利要求书

1.一种铜钼金属蚀刻液，其特征在于，所述铜钼金属蚀刻液的成分按照重量百分比计包括：1～21wt％的过氧化氢、0.01～10wt％的形状控制剂、0.01～5wt％的蚀刻稳定剂、1～13wt％的螯合剂、0.01～8wt％的pH调节剂和0.01～2.39wt％的蚀刻添加剂，以及余量的去离子水。

2.根据权利要求1所述的铜钼金属蚀刻液，其特征在于，所述形状控制剂含O、N、S杂原子的杂环化合物；所述形状控制剂在铜金属表面的成膜分配比小于所述形状控制剂在钼金属表面的成膜分配比。

3.根据权利要求1或2所述的铜钼金属蚀刻液，其特征在于，所述形状控制剂选自呋喃、5-氨基四唑、吡咯烷酮、羟甲基苯三唑和氧茚中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的铜钼金属蚀刻液，其特征在于，所述蚀刻稳定剂选自磷酸一铵、磷酸二铵、磷酸氢钠、磷酸氢钾和甘醇类化合物中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的铜钼金属蚀刻液，其特征在于，所述螯合剂选自亚氨乙酸、次氨基三乙酸、肌氨酸、甘氨酸、丙氨酸和谷氨酸中的至少一种。

6.根据权利要求1所述的铜钼金属蚀刻液，其特征在于，所述pH调节剂选自碳酸钾、碳酸钠、氢氧化钠、氢氧化钾和氨类化合物中的至少一种。

7.根据权利要求1所述的铜钼金属蚀刻液，其特征在于，所述蚀刻添加剂选自乙酸、甲酸、丁酸、草酸、丙酸、磷酸、硫醇基咪唑啉和2-氨基噻唑化合物中的至少一种。

8.根据权利要求1所述的铜钼金属蚀刻液，其特征在于，所述铜钼金属蚀刻液的pH值为4～5。

9.根据权利要求1所述的铜钼金属蚀刻液，其特征在于，所述铜钼金属蚀刻液的蚀刻温度为28～35℃。

10.一种根据权利要求1～9中任一项所述的铜钼金属蚀刻液在薄膜晶体管液晶显示器中的栅极图案蚀刻、源极图案蚀刻和/或漏极图案蚀刻过程中的应用。