[发明专利]一种用于静电放电中的场效应可控硅结构有效
| 申请号： | 202110892105.2 | 申请日： | 2021-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN113345886B | 公开（公告）日： | 2021-11-30 |
| 发明（设计）人： | 朱伟东;赵泊然 | 申请（专利权）人： | 江苏应能微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L29/74 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良;陈丽丽 |
| 地址： | 213000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，具体公开了一种用于静电放电中的场效应可控硅结构，其中，包括：第一导电类型衬底和设置在第一导电类型衬底上的第二导电类型外延层，所述第二导电类型外延层内设置第二导电类型阱区和第一导电类型阱区，所述第二导电类型阱区与所述第一导电类型阱区相切设置，所述第二导电类型阱区内设置有第一N+区和第一P+区，所述第一N+区和所述第一P+区相切设置，所述第一导电类型阱区内设置有第二N+区和第二P+区，所述第二N+区和所述第二P+区相切设置，所述第一P+区和所述第二N+区相邻设置，所述第一P+区与所述第二N+区之间设置沟槽。本发明提供的用于静电放电中的场效应可控硅结构有利于提升ESD器件的电流能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 静电 放电 中的 场效应 可控硅 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
