[发明专利]电容的制造方法和电容在审
| 申请号： | 202110881707.8 | 申请日： | 2021-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN115843218A | 公开（公告）日： | 2023-03-24 |
| 发明（设计）人： | 吴锋 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H10N97/00 | 分类号： | H10N97/00;H01L27/08 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种电容的制造方法和电容，包括：提供衬底，所述衬底表面具有牺牲层，所述牺牲层存在倒梯形电容通孔，所述衬底包括接触垫，所述接触垫位于所述倒梯形电容通孔的下方；在所述牺牲层表面形成下电极，所述下电极覆盖所述牺牲层的倒梯形电容通孔表面；去除所述牺牲层，暴露出所述下电极；形成介电层，所述介电层形成于所述下电极表面并包覆所述下电极；形成上电极，所述上电极覆盖所述介电层。本发明采用柱状与圆筒状结合的结构，通过顶部的凹孔结构增大电极板接触面积，提高了电容的电容值。 | ||
| 搜索关键词： | 电容 制造 方法 | ||
【主权项】：
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