[发明专利]一种低电压双块晶体电光Q开关有效
| 申请号： | 202110783480.3 | 申请日： | 2021-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN113471802B | 公开（公告）日： | 2023-01-24 |
| 发明（设计）人： | 商继芳;孙军;杨金凤;周娅玲;郝好山 | 申请（专利权）人： | 河南工程学院 |
| 主分类号： | H01S3/115 | 分类号： | H01S3/115 |
| 代理公司： | 郑州优盾知识产权代理有限公司 41125 | 代理人： | 王红培 |
| 地址： | 451191 河南*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种低电压双块晶体电光Q开关，属于晶体材料在光电技术领域中的应用。本发明是由两块铌酸锂或者钽酸锂晶体按照特殊的设计切型和设计晶轴取向制成的一种电光Q开关器件，用于YAG激光器及其他激光器中作电光调Q使用。通过优化设计开关构型，本发明解决了现有技术存在的半波电压高、消光比低、受两晶体温差及长度偏差影响大、对加工精度、温控精度、晶体质量要求苛刻等缺点，设计的双块晶体电光Q开关同时兼顾了半波电压低、温度范围宽、两晶体温差及长度偏差容许范围大、消光比更高等优点，更加有利于实际应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电压 晶体 电光 开关 | ||
【主权项】：
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