[发明专利]一种GaN HEMT功率器件的动态电阻测试电路在审
| 申请号： | 202110754326.3 | 申请日： | 2021-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN113252987A | 公开（公告）日： | 2021-08-13 |
| 发明（设计）人： | 罗景涛 | 申请（专利权）人： | 西安众力为半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | G01R27/08 | 分类号： | G01R27/08 |
| 代理公司： | 北京科家知识产权代理事务所(普通合伙) 11427 | 代理人： | 郭晶 |
| 地址： | 710077 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本申请公开了一种GaN HEMT功率器件的动态电阻测试电路，包括陪测GaN HEMT功率器件、待测GaN HEMT功率器件和钳位电路；陪测GaN HEMT功率器件和待测GaN HEMT功率器件组成半桥结构，且陪测GaN HEMT功率器件做半桥结构的上桥，待测GaN HEMT功率器件做半桥结构的下桥；钳位电路的输入端与待测GaN HEMT功率器件的漏极和源极相连接。本方案可以清晰地表征GaN HEMT功率器件在实际使用过程中连续的动态电阻特性，从而能够定量评估GaN HEMT功率器件在实际应用中的动态电阻，准确地估算导通损耗，可以促进GaN HEMT功率器件的大规模量产化应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan hemt 功率 器件 动态 电阻 测试 电路 | ||
【主权项】：
暂无信息
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