[发明专利]薄型半导体装置的制备方法和薄型半导体装置在审
| 申请号： | 202110684365.0 | 申请日： | 2021-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN113451116A | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | 陈京华;李勇 | 申请（专利权）人： | 格芯致显（杭州）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/18 | 分类号： | H01L21/18;H01L21/31 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 孟旸;王丽琴 |
| 地址： | 311100 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄型半导体装置及其制备方法，主要包括：在临时衬底的表面制备接触电极和第一无机材料键合层；在目标晶圆的器件材料层的表面制备第二无机材料键合层；将第一无机材料键合层与第二无机材料键合层进行非对准键合形成无机键合层；去除目标晶圆的晶圆衬底，并对器件材料层和无机键合层进行第一图形化刻蚀形成半导体器件；将半导体器件与接触电极进行电气连接；去除临时衬底。本发明中，在键合后进行半导体器件的制备，不需要针对半导体器件进行对准转移，制造难度和成本更低，并且集成的密度和牢固可靠性高；无机键合层有助于降低薄型半导体装置易于破损的风险，并使得薄型半导体装置所兼容的使用环境不再受到有机材料的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
