[发明专利]三维存储器及其制备方法

摘要

本发明提供一种三维存储器及其制备方法。三维存储器包括：堆叠的第一绝缘层、源极层和堆叠结构，源极层位于第一绝缘层和堆叠结构之间，堆叠结构包括交替堆叠的导电层和层间绝缘层；若干穿过堆叠结构的沟道结构；连接层，位于第一绝缘层背离堆叠结构的一侧，并具有凸出部，凸出部穿过第一绝缘层与源极层电连接；若干接地结构，位于源极层背向堆叠结构的一侧，接地结构穿过第一绝缘层，且两端分别与源极层、连接层电连接；至少部分接地结构在最邻近源极层的导电层上的投影与导电层重叠。本发明的接地结构可以按需设置以增强排出源极层上电荷的能力，可以降低电荷击穿源极层的风险，提高了三维存储器的良率。