[发明专利]垂直型存储器及制备方法有效
| 申请号： | 202110587059.5 | 申请日： | 2021-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN113314531B | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 刘金营 | 申请（专利权）人： | 上海积塔半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/105 | 分类号： | H01L27/105 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 卢炳琼 |
| 地址： | 200120 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种垂直型存储器及制备方法，通过在第一逻辑单元及第二逻辑单元之间形成存储单元，可制备具有2T1C的单元结构的垂直型存储器，从而可缩小垂直型存储器的尺寸；在制备的2T1C的单元结构中，当通过第一逻辑单元向存储结构的第二极板存储电子，第二逻辑单元向存储结构的第一极板存储空穴，即可定义为1、当通过第一逻辑单元向存储结构的第二极板存储空穴，第二逻辑单元向存储结构的第一极板存储电子，即可定义为‑1、当两者都不存储时，则可定义为0，从而通过2T1C的单元结构可实现存储1.5bit的结构，从而本发明可同时实现垂直型存储器的小型化及多功能应用。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 存储器 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海积塔半导体有限公司，未经上海积塔半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110587059.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
