[发明专利]一种改善硅片与石英舟粘接的POLY-SI化学气象沉积工艺方法在审
| 申请号： | 202110583814.2 | 申请日： | 2021-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN113308733A | 公开（公告）日： | 2021-08-27 |
| 发明（设计）人： | 寇文辉;胡晓亮;苗利刚;李战国;邵奇 | 申请（专利权）人： | 麦斯克电子材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/02 | 分类号： | C30B25/02;C30B25/16;C30B28/14;C30B29/06;C30B33/02 |
| 代理公司： | 郑州豫鼎知识产权代理事务所(普通合伙) 41178 | 代理人： | 轩文君 |
| 地址： | 471000 河*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体加工技术领域。一种改善硅片与石英舟粘接的POLY‑SI化学气象沉积工艺方法，在生长大于10000Å的厚膜POLY‑SI工艺过程，硅片和载体舟会因为POLY‑SI在接触点位置的生长产生粘连，POLY‑SI厚度越大，粘接程度越大，进而造成缺角和崩边产生裂片。本专利通过先生长1/2目标膜厚的POLY‑SI，在氮气保护状态下冷却后通过机械手将硅片从舟上取下再放回舟上进行剩下1/2目标膜厚的POLY‑SI。通过间歇性的生长和氮气状态的保护，避免厚膜POLY‑SI生长过程舟与硅片的粘接，避免了自然氧化层的生长。通过该工艺基本不会因舟和硅片的粘接产生缺角和崩边。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 硅片 石英 舟粘接 poly si 化学 气象 沉积 工艺 方法 | ||
【主权项】：
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