[发明专利]一种制备低维材料堆叠结构的转移方法与装置有效
| 申请号： | 202110531727.2 | 申请日： | 2021-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN113394113B | 公开（公告）日： | 2023-04-18 |
| 发明（设计）人： | 刘楠;张岩;张巍锋 | 申请（专利权）人： | 北京师范大学 |
| 主分类号： | H01L21/34 | 分类号： | H01L21/34;C01G39/06 |
| 代理公司： | 北京太兆天元知识产权代理有限责任公司 11108 | 代理人： | 王宇 |
| 地址： | 100875 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种制备低维材料堆叠结构的转移方法与装置。所述装置包括从上到下依次设置的显微观察系统、转移架、微量液滴供给系统和三维平移台；载体A吸附在转移架下面，载体B置于三维平移台上。低维材料在载体A和载体B之间垂直堆叠，实现了不同种类或同种类低维材料之间的有效、多样化堆叠。由本发明制得的堆叠材料，由于没有成分过渡，所形成的异质结具有原子级陡峭的载流子(势场)梯度；此外，由于超薄的厚度以及特殊的二维结构，制得的堆叠材料具有强的栅极响应能力，以及与传统微电子加工工艺和柔性基底相兼容的特性。本发明对功能材料、功能器件的基础研究和应用发展具有重要实践意义。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 材料 堆叠 结构 转移 方法 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京师范大学，未经北京师范大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110531727.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
