[发明专利]一种单晶硅空心微针结构及其制作方法在审
| 申请号： | 202110509927.8 | 申请日： | 2021-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN113209466A | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | 俞骁;王新国 | 申请（专利权）人： | 苏州揽芯微纳科技有限公司 |
| 主分类号： | A61M37/00 | 分类号： | A61M37/00;G03F7/16;G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京精金石知识产权代理有限公司 11470 | 代理人： | 杨兰兰 |
| 地址： | 江苏省苏州市吴中区甪直镇迎宾*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供了一种单晶硅空心微针结构及其制作方法，属于微纳加工技术领域。本发明采用(100)型的双面抛光硅片，包括A面和B面；对A面和B面进行涂光刻胶，制作刻蚀窗口和腐蚀窗口；然后对A面用深硅干法刻蚀工艺对A面进行刻蚀，在A面的刻蚀窗口内形成凹槽，在A面形成腐蚀保护膜；去除A面光刻胶；然后在硅片上沉积刻蚀保护层；将A面的腐蚀保护膜去除；将硅片放入腐蚀液中进行腐蚀；A面形成楔形结构，B面的腐蚀窗口内形成凹槽；最后将硅片上残留的腐蚀保护膜去除，在硅片上生成亲水性保护膜。本发明采用的加工技术仅用一次深硅刻蚀工艺，结合单晶硅各向异性腐蚀工艺，具有成本低、适合批量生产的优点，从而具高度产业利用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单晶硅 空心 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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