[发明专利]一种绿光外延结构的制备方法在审

专利信息
申请号: 202110485368.1 申请日: 2021-04-30
公开(公告)号: CN113270525A 公开(公告)日: 2021-08-17
发明(设计)人: 黄剑锋 申请(专利权)人: 广东德力光电有限公司
主分类号: H01L33/32 分类号: H01L33/32;H01L33/06;H01L33/12;H01L33/14;H01L33/00
代理公司: 广州三环专利商标代理有限公司 44202 代理人: 颜希文;宋亚楠
地址: 529000 *** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 发明涉及倒装LED芯片技术领域,公开了一种绿光外延结构的制备方法,自下而上依次生长衬底、低温AlGaN缓冲层、N-AlGaN阻挡层、多周期Si掺杂GaN、超晶格InGaN/GaN、多周期量子阱、阻挡层、Mg掺杂P-GaN和接触层,多周期量子阱采用GaN/Inx1Ga1-x1N/InX2Ga1-X2N/GaN不同In组分结构。可见,本发明通过量子阱分段生长结构,能够改善阱垒失配,缓解斯塔克效应,提升发光效率,提高生长良率。
搜索关键词: 一种 外延 结构 制备 方法
【主权项】:
暂无信息
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