[发明专利]存储器单元、存储器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202110476796.8 | 申请日： | 2021-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN113363259A | 公开（公告）日： | 2021-09-07 |
| 发明（设计）人： | 张盟昇;黄家恩;王奕 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/112 | 分类号： | H01L27/112 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种存储器件，包括第一纳米结构，彼此堆叠在一起；第一栅极堆叠件，其中，第一栅极堆叠件中的相邻两个环绕第一纳米结构中相对应的一个；第二纳米结构，彼此堆叠在一起；第二栅极堆叠件，其中，第二栅极堆叠件中的相邻两个环绕第二纳米结构中相对应的一个；第一漏极/源极部件，电耦合至第一纳米结构的第一端；第二漏极/源极部件，电耦合至第一纳米结构的第二端和第二纳米结构的第一端中的二者；以及第三漏极/源极部件，电耦合至第二纳米结构的第二端。多个第一栅极堆叠件中的至少一个直接接触第一漏极/源极部件和第二漏极/源极部件中的至少一个。本发明的实施例还涉及存储器单元以及制造存储器件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 单元 存储 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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