[发明专利]分裂栅沟槽功率器件的制造方法在审
| 申请号： | 202110453510.4 | 申请日： | 2021-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN113192825A | 公开（公告）日： | 2021-07-30 |
| 发明（设计）人： | 杨伟杰;孟凡顺;易芳 | 申请（专利权）人： | 广州粤芯半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 罗磊 |
| 地址： | 510000 广东省广州市中新广州*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种分裂栅沟槽功率器件的制造方法，包括提供衬底，所述衬底中形成有第一沟槽，所述第一沟槽内形成有分裂栅和介质层，所述介质层覆盖所述衬底、环绕所述分裂栅并填满所述第一沟槽；执行第一干法刻蚀工艺以去除部分所述介质层；以及，执行第二干法刻蚀工艺，继续去除部分所述介质层以形成第二沟槽，所述第二沟槽的侧壁与底壁的夹角为钝角。第二干法刻蚀工艺采用低电容耦合功率，以在第二干法刻蚀工艺中减轻垂直方向上所述介质层的刻蚀量，并且在第二干法刻蚀工艺引入刻蚀气体CO，增加所述第二干法刻蚀工艺过程中的聚合物，以增大所述介质层侧壁的角度；在所述有梯度的介质层侧壁的第二沟槽中形成栅极，可以避免栅极中间出现空洞。 | ||
| 搜索关键词： | 分裂 沟槽 功率 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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