[发明专利]一种电沉积法制备三带隙铬掺杂铜锌锡硫太阳能电池薄膜材料的方法有效
申请号: | 202110447458.1 | 申请日: | 2021-04-25 |
公开(公告)号: | CN113193080B | 公开(公告)日: | 2023-08-18 |
发明(设计)人: | 杨穗;周鹏;易捷;钟建新 | 申请(专利权)人: | 湘潭大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/032;H01L31/0392;C25D5/10;C25D5/50;C25D3/56 |
代理公司: | 湘潭市汇智专利事务所(普通合伙) 43108 | 代理人: | 冷玉萍 |
地址: | 411105 湖*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | 本发明公开了一种电沉积法制备三带隙铬掺杂铜锌锡硫太阳能电池薄膜材料的方法。先将氯化铜、氯化锡和氯化锂溶于乙醇液体中,在基底上电沉积Cu‑Sn合金层,再将氯化铬、氯化锌和氯化锡溶于乙醇液体中,再在Cu‑Sn合金薄膜上沉积Cr‑Zn‑Sn合金薄膜,然后将沉积的双层合金薄膜硫化退火处理,最终制备出铬掺杂铜锌锡硫薄膜材料。本发明制备工艺简单,原材料利用率高,产品成本低廉,可控性强,可重复性好,易于实现大面积、高质量薄膜的制备和大规模生产;本发明所得材料,结晶性好,表面形貌致密平整,铬元素通过替位元素锌,在铜锌锡硫晶体材料的禁带中形成一个杂质能带,拓宽了吸收太阳光谱,可以极大地增加器件的光生电流。 | ||
搜索关键词: | 一种 沉积 法制 备三带隙铬 掺杂 铜锌锡硫 太阳能电池 薄膜 材料 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的