[发明专利]三维存储器件以及其制作方法

摘要

提供了三维(3D)NAND存储器件和方法。在一个方面中，一种制作方法包括：在衬底之上沉积覆盖层；在覆盖层之上沉积层堆叠；执行第一外延生长，以在贯穿层堆叠延伸的沟道层的侧面部分上的沉积第一外延层；去除覆盖层，以露出衬底的部分；执行第二外延生长，以在衬底的所述部分上沉积第二外延层；以及执行第三外延生长，以在第二外延层上沉积第三外延层。所述层堆叠包括交替地堆叠的第一堆叠层和第二堆叠层。第二外延层和第三外延层是利用不同类型的掺杂剂掺杂的。第二外延层和第三外延层被配置为提供用于擦除操作和读取操作的隔开的电流通路。