[发明专利]改善TaOx基阻变存储器可靠性的硅掺杂磁控溅射工艺有效
| 申请号： | 202110364458.5 | 申请日： | 2021-04-05 |
| 公开（公告）号： | CN113088912B | 公开（公告）日： | 2021-12-07 |
| 发明（设计）人： | 王德君;谢威威;周大雨;白娇;蔡承轩;李苏洋 | 申请（专利权）人： | 大连理工大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/02;C23C14/06;C23C14/08;C23C14/16;C23C14/18;C23C14/58 |
| 代理公司： | 大连星海专利事务所有限公司 21208 | 代理人： | 王树本;徐雪莲 |
| 地址： | 116024 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： |
本发明属于微电子和半导体加工技术领域，一种改善TaO |
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| 搜索关键词： | 改善 taox 基阻变 存储器 可靠性 掺杂 磁控溅射 工艺 | ||
【主权项】：
暂无信息
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