[发明专利]一种MPCVD设备基板台冷却系统在审
申请号: | 202110356302.2 | 申请日: | 2021-04-01 |
公开(公告)号: | CN113186516A | 公开(公告)日: | 2021-07-30 |
发明(设计)人: | 龚闯;朱长征;吴剑波;蒋剑宏 | 申请(专利权)人: | 上海征世科技股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/46 | 分类号: | C23C16/46;C23C16/511;C23C16/52;C23C16/27 |
代理公司: | 上海邦德专利代理事务所(普通合伙) 31312 | 代理人: | 袁步兰 |
地址: | 201799 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种MPCVD设备基板台冷却系统,包括基板、冷却水进管、冷却水出管,基板内设置若干个竖直布置的冷流孔,冷流孔在水平方向上均匀分布,冷流孔内设置将其隔为弯折流道的隔板,弯折位置位于冷流孔的顶端,冷却水进管插入基板内并连接所有的冷流孔一侧流道,冷流孔的另一侧流道均连接至冷却水出管上。往基板内通入适宜流量的冷却水,用于冷却MPCVD生产过程中的基片上的高温区域,防止局部过热引起金刚石膜沉积不均匀,由离子态沉积为金刚石相的过程如果不同位置温差不同,则金刚石结构内应力分布也不均匀,导致金刚石膜的成品质量下降。基板上有多个均布的冷流孔,在全区域上进行温度控制。 | ||
搜索关键词: | 一种 mpcvd 设备 基板台 冷却系统 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
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