[发明专利]一种基于化合物半导体材料紫外VCSEL芯片及制作方法有效
| 申请号： | 202110347187.2 | 申请日： | 2021-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN113140960B | 公开（公告）日： | 2022-04-01 |
| 发明（设计）人： | 王晓波 | 申请（专利权）人： | 西安瑞芯光通信息科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/343 |
| 代理公司： | 北京盛凡佳华专利代理事务所(普通合伙) 11947 | 代理人： | 王翠 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开的属于半导体电子信息技术领域，具体为一种基于化合物半导体材料紫外VCSEL芯片及制作方法，包括基底，所述基底的上方设置有外延层，所述外延层的上方设置有发光层，所述外延层包括低温AlN层，所述低温AlN层的上方设置有高温AlN层，所述高温AlN层的上方设置有含硅层，所述含硅层的上方设置有重硅层，所述发光层包括掺硅层，所述掺硅层的上方设置有超晶格层，本发明设计的芯片通过外延和芯片生长制作技术进行制造，能够得到波长在200～280nm的UVC波段紫外光VCSEL，突破和克服了200nm以上的UVC波段VCSEL芯片制作难题和发光效率难题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 化合物 半导体材料 紫外 vcsel 芯片 制作方法 | ||
【主权项】：
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