[发明专利]一种氮化物高电子迁移率晶体管外延材料的生长方法有效
| 申请号： | 202110333421.6 | 申请日： | 2021-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN113299553B | 公开（公告）日： | 2022-09-02 |
| 发明（设计）人： | 彭大青;李忠辉;李传皓;陈韬 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L21/02;C23C16/30;C23C16/455;C23C16/52 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 施昊 |
| 地址： | 210016 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化物高电子迁移率晶体管外延材料的生长方法，在衬底上依次生长缓冲层、GaN沟道层和AlGaN势垒层，AlGaN势垒层采用两步法生长，第一步采用至少一种III族源流量渐变工艺生长第一层AlGaN势垒层，第二步采用III族源流量恒定工艺生长第二层AlGaN势垒层，第一层AlGaN势垒层的厚度为0～4nm。本发明采用这种两步生长法，克服了Ga原子扩散带来的AlGaN势垒层靠近异质结界面处Al组分降低问题，改善了Al组分沿生长方向的一致性，实现了陡峭的AlGaN/GaN异质结界面，从而提高了沟道二维电子气迁移率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化物 电子 迁移率 晶体管 外延 材料 生长 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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