[发明专利]三维存储器、三维存储器的制备方法及电子设备

摘要

本申请公开了一种三维存储器、三维存储器的制备方法及电子设备。三维存储器包括形成在第一堆叠层上的存储堆叠层，形成在存储堆叠层中的存储结构，存储结构至少部分地贯通存储堆叠层；在存储结构朝向衬底的一侧形成有第一通孔或第二通孔，第一通孔位于核心区，第二通孔位于台阶区；形成在第一通孔和第二通孔内的外延部，第二通孔内形成的外延部采用的材料不同于第一通孔内形成的外延部采用的材料，且第二通孔内形成的外延部的底部与衬底之间间隔设有第三绝缘层。本申请提供的三维存储器的台阶区(SS)未设SEG，避免了台阶区的SEG影响功能层，从而提高三维存储器的可靠性。