[发明专利]一种超薄芯片的拿取方法在审
| 申请号： | 202110307911.9 | 申请日： | 2021-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN113078092A | 公开（公告）日： | 2021-07-06 |
| 发明（设计）人： | 冯光建;高群;黄雷;蔡永清 | 申请（专利权）人： | 浙江集迈科微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 无锡市兴为专利代理事务所(特殊普通合伙) 32517 | 代理人： | 屠志力 |
| 地址： | 313100 浙江省湖州市长兴县经济技术开发*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于半导体技术领域，特别涉及一种超薄芯片的拿取方法。本发明采用载片作为支撑材料，用临时键合的方式把待减薄硅片跟载片键合在一起，把待减薄硅片厚度减薄到100μm以下，然后通过干法刻蚀或者切割工艺把已减薄硅片做成单一芯片，把临时键合在载板晶圆上的芯片用网状胶带粘贴，然后通过去临时键合药水浸泡，使芯片跟载板晶圆分离，得到粘有网状胶带的芯片，通过加热或者UV照射解除网状胶带粘性，通过吸嘴吸取超薄芯片，完成超薄芯片的拿取过程。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超薄 芯片 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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