[发明专利]一种场效应晶体管的实现方法有效
| 申请号： | 202110305868.2 | 申请日： | 2021-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN113066726B | 公开（公告）日： | 2021-11-16 |
| 发明（设计）人： | 黄宏嘉;林和;牛崇实;洪学天;张维忠 | 申请（专利权）人： | 弘大芯源（深圳）半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/66;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京冠和权律师事务所 11399 | 代理人： | 吴金水 |
| 地址： | 518128 广东省深圳市宝安区航城街道*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种新型嵌入式晶体管的实现方法，包括：在目标晶体管中设置嵌入式通道，来将目标晶体管中的漏极和源极区域与栅极边界间隔预设距离；在栅极边界与源极之间以及栅极边界与源极之间对应的嵌入式通道中，建立掺杂浓度，构成新型嵌入式晶体管；对新型嵌入式晶体管进行验证，确定是否合格；若合格，保持当前设置的嵌入式通道以及建立的掺杂浓度不变；否则，对当前设置的嵌入式通道以及建立的掺杂浓度进行调整。通过设置嵌入式通道以及在嵌入式通道中建立掺杂浓度，来构建新型嵌入式晶体管，并对其进行验证，可以有效改善晶体管中局部电场的不均匀性，降低击穿的可能性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 场效应 晶体管 实现 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于弘大芯源（深圳）半导体有限公司，未经弘大芯源（深圳）半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110305868.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：显示面板及其制作方法、显示装置
- 下一篇：一种钢结构建筑的构件转动装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
