[发明专利]用于减少晶片背侧沉积的可变温度硬件及方法在审
申请号: | 202110296810.6 | 申请日: | 2016-12-19 |
公开(公告)号: | CN113235071A | 公开(公告)日: | 2021-08-10 |
发明(设计)人: | 康胡;伊斯达克·卡里姆;普鲁沙塔姆·库马尔;钱俊;拉梅什·钱德拉赛卡兰;阿德里安·拉瓦伊 | 申请(专利权)人: | 朗姆研究公司 |
主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458;C23C16/50;C23C16/509;H01L21/687 |
代理公司: | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人: | 李献忠;邱晓敏 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本发明涉及一种用于减少晶片背侧沉积的可变温度硬件及方法。用于化学沉积装置的处理调整套件,其中处理调整套件包括承载环、马蹄形物和垫片。马蹄形物具有相同的尺寸,并且垫片设置成具有不同厚度的组以控制马蹄形物相对于上面安装有马蹄形物和垫片的基座组件的上表面的高度。通过放置在马蹄形物上的承载环将半导体衬底输送到化学沉积装置的真空室中,使得最小接触面积支撑件从承载环提升衬底并且相对于基座组件的上表面以预定的偏移量支撑衬底。在衬底的处理期间,可以通过使用期望厚度的垫片来控制预定偏移量来减少背侧沉积。 | ||
搜索关键词: | 用于 减少 晶片 沉积 可变 温度 硬件 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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