[发明专利]一种OLED的IMITO结构及OLED消影镀膜方法在审
申请号: | 202110295440.4 | 申请日: | 2021-03-19 |
公开(公告)号: | CN113066942A | 公开(公告)日: | 2021-07-02 |
发明(设计)人: | 秦家春;郑建军;何晏兵;许沭华;吕如军;朱常青 | 申请(专利权)人: | 芜湖长信科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56;C23C14/08;C23C14/10;C23C14/35 |
代理公司: | 芜湖安汇知识产权代理有限公司 34107 | 代理人: | 吴慧 |
地址: | 241009 安徽省*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: |
本发明公开了一种OLED的IMITO结构,包括玻璃基板、消影层和导电层,所述消影层设置在导电层与玻璃基板之间,消影层设置在玻璃基板上,导电层设置在消影层上。消影层包括TiO |
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搜索关键词: | 一种 oled imito 结构 镀膜 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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