[发明专利]压接型功率半导体模块结构及其子单元和制作方法

摘要

本发明涉及一种压接型功率半导体模块结构及其子单元和制作方法，属于功率半导体器件领域。包括绝缘框架和从下至上依次堆叠于绝缘框架内的银片、下钼片、芯片和上钼片；绝缘框架上设置有弹簧针，弹簧针与芯片的栅极相连；下钼片接触芯片的表面开设有水平贯通的沟槽，光纤穿过沟槽，并且沟槽内的光纤上集成有一个以上的光栅。可以方便地实现对器件封装内部芯片结温的分布式在线实时测量。而且，光纤光栅体积小，重量轻，对结构影响小，易于布置；只需在正常的封装过程中，增加光纤光栅的安装步骤。光纤制作材料的电绝缘性好，集成后不影响压接型功率半导体模块本身的结构及功能。