[发明专利]一种处理半导体DPY工艺的废气处理装置有效

专利信息
申请号: 202110286355.1 申请日: 2021-03-17
公开(公告)号: CN113058356B 公开(公告)日: 2022-06-21
发明(设计)人: 杨春水 申请(专利权)人: 北京京仪自动化装备技术股份有限公司
主分类号: B01D47/02 分类号: B01D47/02;F23G7/06
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人: 张建利
地址: 100176 北京市大兴区北*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供一种处理半导体DPY工艺的废气处理装置,包括侧壁和顶盖,顶盖盖合于侧壁的顶部,顶盖设置有与燃烧腔连通的废气入口,侧壁的底部设置有与燃烧腔连通的废气出口,侧壁的内部形成有夹层空腔,侧壁内表面的上部设置有连通夹层空腔与燃烧腔的出水口,侧壁的外表面设置有与夹层空腔连通的进水口。通过在侧壁的内部形成有夹层空腔,并在侧壁内表面的上部设置有连通夹层空腔与燃烧腔的出水口,从而形成水淋结构,水通过进水口进入夹层空腔,充满夹层空腔后通过出水口流出并沿着侧壁的内表面向下流动;向下流动的水将硅烷生成的二氧化硅粉尘冲刷到设备底部的水箱中,减少在燃烧腔内壁的堆积堵塞,防止粉尘附着,延长设备的维护周期。
搜索关键词: 一种 处理 半导体 dpy 工艺 废气 装置
【主权项】:
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