[发明专利]一种处理半导体DPY工艺的废气处理装置有效
申请号: | 202110286355.1 | 申请日: | 2021-03-17 |
公开(公告)号: | CN113058356B | 公开(公告)日: | 2022-06-21 |
发明(设计)人: | 杨春水 | 申请(专利权)人: | 北京京仪自动化装备技术股份有限公司 |
主分类号: | B01D47/02 | 分类号: | B01D47/02;F23G7/06 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 张建利 |
地址: | 100176 北京市大兴区北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供一种处理半导体DPY工艺的废气处理装置,包括侧壁和顶盖,顶盖盖合于侧壁的顶部,顶盖设置有与燃烧腔连通的废气入口,侧壁的底部设置有与燃烧腔连通的废气出口,侧壁的内部形成有夹层空腔,侧壁内表面的上部设置有连通夹层空腔与燃烧腔的出水口,侧壁的外表面设置有与夹层空腔连通的进水口。通过在侧壁的内部形成有夹层空腔,并在侧壁内表面的上部设置有连通夹层空腔与燃烧腔的出水口,从而形成水淋结构,水通过进水口进入夹层空腔,充满夹层空腔后通过出水口流出并沿着侧壁的内表面向下流动;向下流动的水将硅烷生成的二氧化硅粉尘冲刷到设备底部的水箱中,减少在燃烧腔内壁的堆积堵塞,防止粉尘附着,延长设备的维护周期。 | ||
搜索关键词: | 一种 处理 半导体 dpy 工艺 废气 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
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