[发明专利]一种纳米线MIM阵列器件及制备方法有效
| 申请号： | 202110267683.7 | 申请日： | 2021-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN113173555B | 公开（公告）日： | 2022-10-04 |
| 发明（设计）人： | 田佳佳;张青竹;殷华湘;张兆浩;李俊杰;李永亮;吴次南;刘战峰;毛淑娟;王文武;屠海令 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | B81B7/04 | 分类号： | B81B7/04;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 佟林松 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种纳米线MIM阵列器件的制备方法，采用两次自对准的侧墙转移技术工艺形成纳米尺度两层侧墙交叉阵列，利用反应离子刻蚀(RIE)刻蚀氧化硅与金属层，形成金属层纳米线MIM阵列器件阵列，再做金属接触互联工艺，最后制备出高纯度、无损伤、有序垂直排列的纳米线MIM阵列。与现有技术相比，本发明有益的技术效果为：本发明提供的纳米MIM阵列位置，尺寸和距离可控，能实现大规模的均匀的纳米MIM制备，可以控制硅纳米MIM阵列的有序分布，可获得较高、较纯的纳米MIM结构，对纳米MIM阵列几何形状的精确控制，制备效率高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 mim 阵列 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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