[发明专利]一种射频器件的功率承载力的测量方法在审

专利信息
申请号: 202110258196.4 申请日: 2021-03-09
公开(公告)号: CN113030701A 公开(公告)日: 2021-06-25
发明(设计)人: 王磊 申请(专利权)人: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
主分类号: G01R31/28 分类号: G01R31/28
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 周耀君
地址: 201203 上海市浦东*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供一种射频器件的功率承载力的测量方法,包括以下步骤:提供多项目晶圆,多项目晶圆包括至少两种类型的待测芯片;建立测试档案,测试档案包括至少两种类型的待测芯片的测试条件和测试方法;从测试档案中调取当前待测芯片所属类型的测试条件和测试方法,并对测量当前的待测芯片的功率承载力,同时检测下一个待测芯片的类型,以测量所有待测芯片的功率承载力。本发明建立的档案不包括针对不同类型来区分并整理出待测芯片的位置坐标,减少了前期测试准备时间,缩短了测试准备时间,还通过一次测试完成了不同类型的待测芯片的测试,缩短了测试时间,缩短了设计开发时间,加快了新产品的面世的脚步。
搜索关键词: 一种 射频 器件 功率 承载力 测量方法
【主权项】:
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