[发明专利]存储器及其制备方法有效
| 申请号： | 202110255006.3 | 申请日： | 2021-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN113035880B | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | 姚兰 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11526 | 分类号： | H01L27/11526;H01L27/11551;H01L27/11573;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 北京英思普睿知识产权代理有限公司 16018 | 代理人： | 刘莹;聂国斌 |
| 地址： | 430000 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了一种制备三维存储器的方法和一种三维存储器。所公开的制备三维存储器的方法包括：在半导体结构的一侧表面形成第一叠层结构，并在第一叠层结构中形成贯穿第一叠层结构的接触孔；在接触孔中设置第一填充物以形成接触块；在第一叠层结构的远离半导体结构的一侧表面形成第二叠层结构，并在第二叠层结构中形成贯穿第二叠层结构连接开口；以及在连接开口中设置第二填充物以形成连接层。其中，接触块的邻近半导体结构的一侧表面与半导体结构直接接触，并且接触块的远离半导体结构的一侧表面完全暴露在连接开口中并与设置在连接开口中的连接层直接接触。其中，接触块和连接层被形成为具有在远离半导体结构的方向上尺寸逐渐减小的剖面形状。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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