[发明专利]高密度层错的碳化硅材料及其制备方法有效
| 申请号： | 202110235027.9 | 申请日： | 2021-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN113024277B | 公开（公告）日： | 2022-01-28 |
| 发明（设计）人： | 李炳生;戴亚堂;徐帅 | 申请（专利权）人： | 西南科技大学 |
| 主分类号： | C04B41/00 | 分类号： | C04B41/00 |
| 代理公司： | 成都方圆聿联专利代理事务所(普通合伙) 51241 | 代理人： | 宋红宾 |
| 地址： | 621010 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高密度层错的碳化硅材料及其制备方法，制备方法包括以下步骤：第一步：选择烧结碳化硅；第二步：利用硅源对碳化硅材料进行硅离子辐照；第三步：退火处理。本发明通过离子注入加高温退火处理，可以在碳化硅内部产生高密度，长尺寸，特定方向的层错。这将为制备高密度层错的碳化硅材料提供了方法。 | ||
| 搜索关键词： | 高密度 碳化硅 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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