[发明专利]一种提升转移良率的芯片转移方法有效
申请号: | 202110228522.7 | 申请日: | 2021-03-01 |
公开(公告)号: | CN113013068B | 公开(公告)日: | 2022-11-11 |
发明(设计)人: | 薛水源;庄文荣;孙明;付小朝 | 申请(专利权)人: | 东莞市中麒光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/683;H01L33/48 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 张艳美;刘光明 |
地址: | 523000 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开一种提升转移良率的芯片转移方法,其采用设有压力检测件的转移结构,通过该转移结构拿取待转移的芯片并承载该芯片朝转接板运动预设距离,并通过其上的压力检测件检测该芯片与转移结构之间的压力来确认芯片是否正常转移至转接板,若感测到预设压力值,驱使转移结构回原;反之,通过转移结构承载该芯片继续朝转接板运动进行距离补偿直至压力检测件感测到预设压力值;然后,将转接板上的芯片的电极与基板上的焊盘电极对位并焊接固定。本发明可以有效避免因转接板翘曲、芯片厚度差异或者蓝膜变形导致转移至转接板上的芯片阵列出现漏芯等问题,从而避免基板漏芯的等情形,提高了芯片转移良率。 | ||
搜索关键词: | 一种 提升 转移 芯片 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造