[发明专利]一种铌三锡薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 202110200313.1 | 申请日： | 2021-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN113005406B | 公开（公告）日： | 2023-02-24 |
| 发明（设计）人： | 潘峰;谭腾;郭浩;初青伟;熊平然;何源;武博;史一功 | 申请（专利权）人： | 中国科学院近代物理研究所 |
| 主分类号： | C23C14/16 | 分类号： | C23C14/16;C23C14/34;C23C14/58 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 吴爱琴 |
| 地址： | 730000 甘*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高质量铌三锡薄膜的制备方法，旨在解决一般铌三锡薄膜制备需要高温，无法应用于铜等低熔点基材的问题。制备方法的核心为采用锡含量(质量分数)12～16％的高锡青铜作为衬底，将衬底清洗干净并吹干，其次衬底置于溅射镀膜系统中，溅射铌，在不经额外热处理的情况下，直接在衬底表面反应生成高质量的铌三锡镀层，为制备低熔点基材铌三锡薄膜材料及其工业化应用打下了良好的基础。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 铌三锡 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
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