[发明专利]一种铌三锡薄膜的制备方法有效

专利信息
申请号: 202110200313.1 申请日: 2021-02-23
公开(公告)号: CN113005406B 公开(公告)日: 2023-02-24
发明(设计)人: 潘峰;谭腾;郭浩;初青伟;熊平然;何源;武博;史一功 申请(专利权)人: 中国科学院近代物理研究所
主分类号: C23C14/16 分类号: C23C14/16;C23C14/34;C23C14/58
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 代理人: 吴爱琴
地址: 730000 甘*** 国省代码: 甘肃;62
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摘要:
搜索关键词: 一种 铌三锡 薄膜 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种铌三锡薄膜的制备方法,为:采用溅射方法在含锡青铜衬底表面沉积铌,在衬底中铜的催化作用下,铌与衬底中的锡反应,在衬底表面形成铌三锡薄膜;

溅射开始前,含锡青铜衬底应在真空中加热到300℃除气,然后降温至250℃后开始溅射;

溅射过程中电压为300V,电流为0.5~0.8A,沉积速率为溅射过程中衬底温度维持在200℃;

溅射气体选择Ar气,溅射气压为0.5~1Pa。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:所述含锡青铜为锡质量百分比含量为10~60%的青铜。

3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:溅射前溅射设备烘烤除气,设备本底真空度高于5×10-4Pa。

4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:所述溅射方法 为磁控溅射。

5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:所得铌三锡薄膜厚度为1~5μm。

6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:溅射后,维持真空自然降温至室温,然后取出。

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