[发明专利]嵌入式器件在审
| 申请号： | 202110189862.3 | 申请日： | 2021-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN113346008A | 公开（公告）日： | 2021-09-03 |
| 发明（设计）人： | 李吉镐;高宽协;金禹珍 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/14;H01L27/22;G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 翟然 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 嵌入式器件包括：第一绝缘层；在第一绝缘层上的第二绝缘层；在第一区域中的第一绝缘层中的下电极接触；第一结构，在第二绝缘层中并接触下电极接触，第一结构具有下电极、磁隧道结和上部电极；第一金属布线结构，穿过在第二区域中的第一和第二绝缘层；在第二绝缘层上的第三绝缘层；位线结构，穿过在第一区域中的第三绝缘层和第二绝缘层，位线结构具有第一高度并接触上电极；以及第二金属布线结构，穿过在第二区域中的第三绝缘层，第二金属布线结构接触第一金属布线结构并具有低于第一高度的第二高度。 | ||
| 搜索关键词： | 嵌入式 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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