[发明专利]半导体键合位姿补偿修复方法、装置及存储介质有效
| 申请号： | 202110175659.0 | 申请日： | 2021-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN112992735B | 公开（公告）日： | 2021-09-10 |
| 发明（设计）人： | 何良雨;刘彤;崔健 | 申请（专利权）人： | 锋睿领创（珠海）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/603 |
| 代理公司： | 深圳众鼎专利商标代理事务所(普通合伙) 44325 | 代理人： | 张小燕 |
| 地址： | 519000 广东省珠海市横琴新区环岛东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体键合位姿补偿修复方法、装置及计算机可读存储介质，用于确定出用于键合的最佳补偿位姿，以提高键合效果。方法部分包括：获取裸芯片三维点云和基板三维点云；将裸芯片三维点云和基板三维点云转换到同一目标坐标系；在目标坐标系下，分别对裸芯片三维点云和基板三维点云进行实例分割，以分别获取裸芯片凸点点云和基板凸点点云；对裸芯片凸点点云和基板凸点点云进行键合配对，以确定所有键合对；根据键合对的工艺类型对所有键合对进行工艺类型分类，得到m种工艺类型下的键合对凸点点云；根据m种工艺类型下的键合对凸点点云，确定最佳补偿位姿。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 键合位姿 补偿 修复 方法 装置 存储 介质 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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