[发明专利]闪存存储器及其制造方法在审
| 申请号： | 202110093752.7 | 申请日： | 2021-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN112750790A | 公开（公告）日： | 2021-05-04 |
| 发明（设计）人： | 于涛 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8246 | 分类号： | H01L21/8246;H01L21/762;H01L27/11517;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种闪存存储器及其制造方法，通过在初始浮栅层中形成朝向初始浮栅层延伸并覆盖初始浮栅层部分上表面的隔离结构，以在刻蚀部分初始浮栅层形成浮栅层时，初始浮栅层被隔离结构覆盖的部分不被刻蚀，如此使得浮栅层中至少被隔离结构覆盖的部分形成浮栅尖端。通过该闪存存储器的制造方法形成的浮栅尖端在进行电子擦除操作时，可以增强局部电场，提高擦除效率。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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