[发明专利]一种双层O-ALD原子层沉积设备在审
| 申请号： | 202110088883.6 | 申请日： | 2021-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN112795906A | 公开（公告）日： | 2021-05-14 |
| 发明（设计）人： | 陶俊;吴晓松;王雪楠;刘永法;张三洋 | 申请（专利权）人： | 无锡琨圣智能装备股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/455 | 分类号： | C23C16/455 |
| 代理公司： | 无锡苏元专利代理事务所(普通合伙) 32471 | 代理人： | 吴忠义 |
| 地址： | 214000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种双层O‑ALD原子层沉积设备，涉及O‑ALD领域。该双层O‑ALD原子层沉积设备，包括支撑固定底座，所述支撑固定底座的上端安装有一号工作机箱，所述一号工作机箱与支撑固定底座对称的一端安装有二号工作机箱，所述二号工作机箱的一端安装有一组防护隔离盖板，所述支撑固定底座的前端安装有四组真空泵，每组真空泵的下端均安装有若干组支撑移动滚轮，每组真空泵的一端均安装有排气口。该双层O‑ALD原子层沉积设备，设备能耗也有所减少(上下腔体同时工作时热量散逸相对两台独立的机器要少)。成本比两台独立的设备低，减少了单位产能的占地面积，降低安装成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双层 ald 原子 沉积 设备 | ||
【主权项】：
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
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