[发明专利]一种背照式全局快门像素结构及其制造方法

摘要

本发明提供一种背照式全局快门像素结构及其制造方法，该结构包括：半导体衬底；微透镜，设置于半导体衬底的背面；光电转换区，位于半导体衬底内；遮光结构，邻近光电转换区，所述遮光结构的底部位于半导体衬底的背面，所述遮光结构的侧壁由半导体衬底的背面向上延伸至半导体衬底的正面，所述遮光结构的侧壁在靠近所述光电转换区的一侧设有缺口；电荷存储区，位于半导体衬底内，收容于遮光结构中；介质遮蔽区，嵌于半导体衬底的正面，且覆盖电荷存储区的上表面，并由电荷存储区的上表面延伸至遮光结构的缺口处；以及转移栅，嵌于介质遮蔽区内。本发明的利用遮光结构和介质遮蔽区，可以有效消除寄生光效应，且结构简单，制作工艺易于实现。