[发明专利]一维硫硒化镉半导体纳米线的制备方法、纳米线及器件在审
| 申请号： | 202110054151.5 | 申请日： | 2021-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN112899647A | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 戴放;沈吉;刘彬;常维静;徐叔喜;王仕鑫 | 申请（专利权）人： | 中国兵器工业集团第二一四研究所苏州研发中心 |
| 主分类号： | C23C16/30 | 分类号： | C23C16/30;C30B29/48;C30B29/62;C30B25/02;B82Y40/00;H01L31/0296;H01L31/0352;H01L31/18 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 范晴;丁浩秋 |
| 地址： | 215000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种一维硒化镉半导体纳米线的制备方法，包括：在衬底上沉积一金属催化剂薄膜；在保护气存在下，均匀混合硫化镉和硒化镉；将沉积催化剂薄膜的衬底和混合的硫化镉与硒化镉进行加温，通过化学气相沉积方法得到纳米线。采用化学气相沉积的方法能够大面积批量生长，可有效控制半导体纳米线的生长方向、长度，并显著提高其载流子迁移率。制备的光电探测器性能优异。 | ||
| 搜索关键词： | 一维硫硒化镉 半导体 纳米 制备 方法 器件 | ||
【主权项】：
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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