[发明专利]一种碳化硅材料的制备方法、碳化硅及其应用有效

专利信息
申请号: 202110046184.5 申请日: 2021-01-14
公开(公告)号: CN112745125B 公开(公告)日: 2022-07-12
发明(设计)人: 王龙山;刘洋洋;李云钊;鲍恩成;李文廷;张宏科 申请(专利权)人: 万华化学集团股份有限公司
主分类号: C04B35/565 分类号: C04B35/565;C04B35/622;C04B35/626;C04B35/63
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 264006 山东省*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明公开了一种碳化硅材料的制备方法、碳化硅及其应用。采用预形核工艺,通过预先烧结CoO、Ni2O使其部分转变形成NiCo2O4形核剂,并将NiCo2O4形核剂通过搅拌、混合等步骤均匀分散在未烧结的碳化硅基体中经热压烧结成型制备得到碳化硅材料。本发明制备的碳化硅材料有开裂倾向性低、致密度高、强度、韧性等均较高的优点,且烧结期间高温运行时间相对较短,安全生产系数得到提高,能耗降低。采用本发明方法制备的碳化硅材料可用于管道、设备等的测温结构。
搜索关键词: 一种 碳化硅 材料 制备 方法 及其 应用
【主权项】:
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